T/ZJBDT 001.3-2025 新型非易失性存储芯片（磁随机存储芯片、相变存储芯片、阻变存储芯片）存储性及可靠性测试方法第3部分：相变存储芯片测试

显示全部楼层 · 发表于 2025-3-5 13:13:23

本文件描述了相变存储芯片存储性及可靠性测试方法的术语、测试要求、测试设备、测试条件、测试程序等。
本文件适用于实现相变存储芯片的存储性及可靠性验证。
标准编号：T/ZJBDT 001.3-2025
标准名称：新型非易失性存储芯片（磁随机存储芯片、相变存储芯片、阻变存储芯片）存储性及可靠性测试方法第3部分：相变存储芯片测试
发布部门：浙江省半导体行业协会
发布日期：2025-01-10
实施日期：2025-01-10
标准状态：现行
起草单位：浙江大学、浙江驰拓科技有限公司、联芸科技（杭州）股份有限公司、深圳市思恩技术有限公司、杭州华澜微电子股份有限公司、杭州电子科技大学、深圳市普科技术有限公司、杭州加速科技有限公司
起草人员：程志渊、黄平洋、刘晨曦、杨吉龙、丁勇、何世坤、李国阳、方盼、骆建军、谭建新、邬刚
文件格式：PDF
文件页数：9页
文件大小：1.26MB

标准全文下载：

TZJBDT 001.3-2025.pdf (1.26 MB)

文档首页截图如下：

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