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T/ZJBDT 001.1-2025 新型非易失性存储芯片(磁随机存储芯片、相变存储芯片、阻变存储芯片)存储性及可靠性测试方法 第1部分:总则

mohsenpce
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团体标准 163 0 2025-3-5 13:12:37
本文件描述了磁随机存储芯片、相变存储芯片、阻变存储芯片的存储性及可靠性测试方法。
本文件适用于磁随机存储芯片、相变存储芯片、阻变存储芯片的存储性及可靠性的评价、认证与考核。
标准编号:T/ZJBDT 001.1-2025
标准名称:新型非易失性存储芯片(磁随机存储芯片、相变存储芯片、阻变存储芯片)存储性及可靠性测试方法 第1部分:总则
发布部门:浙江省半导体行业协会
发布日期:2025-01-10
实施日期:2025-01-10
起草单位:浙江大学、浙江驰拓科技有限公司、联芸科技(杭州)股份有限公司、深圳市思恩技术有限公司、杭州华澜微电子股份有限公司、杭州电子科技大学、深圳市普科技术有限公司、杭州加速科技有限公司
起草人员:程志渊、黄平洋、刘晨曦、杨吉龙、丁勇、何世坤、李国阳、方盼、骆建军、谭建新、邬刚
文件格式:PDF
文件页数:5页
文件大小:204.44KB

标准全文下载:
上传的附件: TZJBDT 001.1-2025.pdf (204.44 KB)


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