T/SEPA 4-2022 局部放电EFPI光纤超声传感器探头MEMS制造技术第1部分：基于SOI硅片的工艺规范

显示全部楼层 · 发表于 2024-11-13 14:50:15

本文件规定了采用MEMS技术制作局部放电EFPI光纤超声传感器探头时SOI硅片应遵循的工艺规范，包括工艺流程、工艺要求、其他要求及检验。本文件适用于电力设备局部放电EFPI超声传感器探头SOI芯片的制造和检验。
标准编号：T/SEPA 4-2022
标准名称：局部放电EFPI光纤超声传感器探头MEMS制造技术第1部分：基于SOI硅片的工艺规范
英文名称：MEMS fabrication technology of EFPI fiber optic ultrasonic sensor probe for partial discharge detection Part 1: process specification using the SOI wafer
发布部门：上海市电力行业协会
发布日期：2022-12-01
实施日期：2023-02-01
标准状态：现行
起草单位：国网上海市电力公司、西北工业大学、国网宁夏电力有限公司电力科学研究院、国网智能电网研究院有限公司、国网山西省电力公司、西安茂荣电力设备有限公司、华东电力试验研究院有限公司
起草人员：司文荣、虞益挺、傅晨钊、吴旭涛、鞠登峰、黄辉、赵莹莹、陆启宇、吴欣烨、聂鹏晨、卢晶、周秀、何宁辉、药炜、陈川、梁基重、张莹、朱炯、胡正勇、倪鹤立、王伟、曹培
文件格式：PDF
文件页数：18页
文件大小：1.25MB

标准全文下载：

TSEPA 4-2022.pdf (1.25 MB)

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