标准编号：T/IAWBS 002-2017
标准名称：碳化硅外延片表面缺陷测试方法
英文名称：Test method of surface defects for silicon carbide epitaxial wafers
发布部门：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
发布日期：2017-12-20
实施日期：2017-12-31
标准状态：现行
文件格式：PDF
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标准名称：碳化硅外延片表面缺陷测试方法
英文名称：Test method of surface defects for silicon carbide epitaxial wafers
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发布日期：2017-12-20
实施日期：2017-12-31
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