SJ/T 11499-2015 碳化硅单晶电学性能的测试方法

camychen · 发表于 2022-12-27 10:57:30

本标准规定了利用范德堡法测试6H、4H等晶型碳化硅单晶的导电类型、电阻率、迁移率、载流子浓度的方法。
标准编号：SJ/T 11499-2015
标准名称：碳化硅单晶电学性能的测试方法
英文名称：Test method for measuring electrical properties of monocrystalline silicon carbide
发布部门：中华人民共和国工业和信息化部
发布日期：2015-04-30
实施日期：2015-10-01
标准状态：现行
起草单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所、工业和信息化部电子工业标准化研究院
文件格式：PDF
文件页数：10页
文件大小：1.90MB

标准全文下载：

SJT 11499-2015 碳化硅单晶电学性能的测试方法.pdf (1.9 MB)

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