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SJ/T 11498-2015 重掺硅衬底中氧浓度的二次离子质谱测量方法

camychen
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电子行业标准(SJ) 449 0 2022-12-27 10:57:08
本标准规定了用二次离子质谱法(SIMS)对重掺硅衬底单晶体中氧浓度总量的测试方法。
标准编号:SJ/T 11498-2015
标准名称:重掺硅衬底中氧浓度的二次离子质谱测量方法
英文名称:Test method for measuring oxygen contamination in heavily doped silicon substrates by secondary ion mass spectrometry
发布部门:中华人民共和国工业和信息化部
发布日期:2015-04-30
实施日期:2015-10-01
起草单位:信息产业专用材料质量监督检验中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院、苏州晶瑞化学有限公司、天津中环领先材料技术有限公司
文件格式:PDF
文件页数:7页
文件大小:1.65MB

标准全文下载:
上传的附件: SJT 11498-2015.pdf (1.65 MB)


文档首页截图如下:
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