本标准规定了低位错密度砷化镓（GaAs）抛光片腐蚀坑密度（EPD）的测量方法。
标准编号：SJ/T 11490-2015
标准名称：低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法
英文名称：Test method for measuring etch pit density(EPD)in low dislocation density gallium arsenide wafers
发布部门：中华人民共和国工业和信息化部
发布日期：2015-04-30
实施日期：2015-10-01
起草单位：信息产业专用材料质量监督检验中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院、苏州晶瑞化学有限公司、天津中环领先材料技术有限公司
文件格式：PDF
文件页数：8页
文件大小：3.12MB
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