GB/T 30867-2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法

Y唐老鸭 · 发表于 2022-12-24 10:02:06

本标准规定了碳化硅单晶片厚度及总厚度变化（TTV）的测试方法，包括接触式和非接触式两种方式。
本标准适用于直径不小于30 mm、厚度为0.13 mm～1 mm的碳化硅单晶片。
标准编号：GB/T 30867-2014
标准名称：碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法
英文名称：Test method for measuring thickness and total thickness variation of monocrystalline silicon carbide wafers
发布部门：国家质量监督检验检疫总局、国家标准化管理委员会
发布日期：2014-07-24
实施日期：2015-02-01
标准状态：现行
起草单位：防化研究院、北京市劳动保护科学研究所、中国安全生产科学研究院、公安部消防局装备处、3M中国有限公司、霍尼韦尔安全防护设备（上海）有限公司、梅思安（中国）安全设备有限公司、德尔格安全设备（中国）有限公司、上海依格安全装备有限公司、国营第八零九厂
起草人员：丁丽、周智慧、郝建民、蔺娴、何秀坤、刘筠、冯亚彬、裴会川
文件格式：PDF
文件页数：6页
文件大小：263.68KB

标准全文下载：

GBT 30867-2014.pdf (263.68 KB)

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GB/T 30867-2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法

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