GB/T 44517-2024 微机电系统（MEMS）技术 MEMS膜残余应力的晶圆曲率和悬臂梁挠度试验方法

显示全部楼层 · 发表于 2025-2-11 14:34:47

本文件描述了测量厚度范围为0.01 μm～10 μm的MEMS膜残余应力的方法，包含晶圆曲率法和悬臂梁挠度法。
本文件适用于沉积在已知杨氏模量和泊松比等力学性质衬底上的膜。
标准编号：GB/T 44517-2024
标准名称：微机电系统（MEMS）技术 MEMS膜残余应力的晶圆曲率和悬臂梁挠度试验方法
英文名称：Micro-electromechanical systems (MEMS) technology—Wafer curvature and cantilever beam deflection test methods for determining residual stresses of MEMS films
发布部门：国家市场监督管理总局国家标准化管理委员会
发布日期：2024-09-29
实施日期：2025-04-01
标准状态：现行/即将实施
起草单位：合肥美的电冰箱有限公司、中机生产力促进中心有限公司、绍兴中芯集成电路制造股份有限公司、中国科学院空天信息创新研究院、苏州大学、国网智能电网研究院有限公司、苏州慧闻纳米科技有限公司、无锡华润上华科技有限公司、无锡芯感智半导体有限公司、微纳感知（合肥）技术有限公司、深圳市美思先端电子有限公司、宁波科联电子有限公司、美的集团股份有限公司、东南大学、工业和信息化部电子第五研究所、深圳市速腾聚创科技有限公司、华东电子工程研究所（中国电子科技集团公司第三十八研究所）、北京晨晶电子有限公司、南京高华科技股份有限公司、武汉高德红外股份有限公司、安徽北方微电子研究院集团有限公司、广东润宇传感器股份有限公司、无锡韦感半导体有限公司、明石创新（烟台）微纳传感技术研究院有限公司
起草人员：马卓标、李根梓、曹诗亮、谢波、余庆、孙立宁、王军波、梁先锋、孙旭辉、胡永刚、杨绍松、许磊、宏宇、王雄伟、钱峰、周再发、董显山、杨旸、张森、张红旗、汤一、兰之康、黄晟、张胜兵、李海全、万蔡辛、高峰、陈林
文件格式：PDF
文件页数：10页
文件大小：776.59KB

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