本指导性技术文件给出了宇航用半导体器件（以下简称器件）重离子辐照引起的单粒子效应的试验指南，包括试验要求、试验方法和试验程序。
本指导性技术文件适用的单粒子效应包括单粒子翻转、单粒子锁定、单粒子扰动等。不包括功率MOS器件的单粒子烧毁。
本指导性技术文件中的半导体器件包括半导体集成电路和半导体分立器件。
标准编号：QJ 10005-2008
标准名称：宇航用半导体器件重离子单粒子效应试验指南
英文名称：Test guidelines of single event effects induced by heavy ions of semiconductor devices for space applications
发布部门：国防科学技术工业委员会
发布日期：2008-02-16
实施日期：2008-06-01
标准状态：现行
起草单位：中国航天科技集团公司第五研究院物资部、中国航天标准化研究所
文件格式：PDF
文件页数：19页
文件大小：13.87MB
发表于 2022-12-3 21:26:13
