本文件规定了化学腐蚀后用金相显微镜检测硅片流动图形缺陷的方法。
本文件适用于电阻率大于1 Ω·cm的硅片流动图形缺陷的检测。
标准编号：GB/T 43315-2023
标准名称：硅片流动图形缺陷的检测 腐蚀法
英文名称：Test method for flow pattern defects in silicon wafer—Etching technique
发布部门：国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会
发布日期：2023-11-27
实施日期：2024-06-01
起草单位：中环领先(徐州)半导体材料有限公司、山东有研半导体材料有限公司、中环领先半导体材料有限公司、浙江海纳半导体股份有限公司、厦门万明电子有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、麦克斯电子材料股份有限公司、浙江旭盛电子有限公司
起草人员：朱志高、陈俊宏、陈凤林、高海棠、李素青、朱晓彤、由佰玲、吕莹、潘金平、张海英、胡晓亮、方丽霞、陈跃骅、黄景明
文件格式：PDF
文件页数：6页
文件大小：1.15MB
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