本文件规定了正压悬浮区熔单晶硅炉的产品标记和主要参数、技术要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、储存。适用于以高纯多晶硅做原料，采用悬浮区熔法进行半导体级单晶硅生长的单晶硅炉。
标准编号：SJ/T 11853-2022
标准名称：正压悬浮区熔单晶硅炉
发布部门：中华人民共和国工业和信息化部
发布日期：2022-09-30
实施日期：2023-01-01
文件格式：PDF
文件页数：13页
文件大小：4.75MB
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