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GB/T 10067.417-2023 电热和电磁处理装置基本技术条件 第417部分:碳化硅单晶生长装置

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发表于 2023-10-17 16:43:37 | 显示全部楼层 |阅读模式
本文件规定了碳化硅单晶生长装置的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存以及订购与供货。
本文件适用于在真空或保护气氛下,采用间接电阻加热生长碳化硅单晶的电热装置。采用高频感应加热的生长碳化硅单晶的装置参照使用。
本文件适用于物理气相输运法碳化硅单晶生长装置,其他方法的碳化硅单晶生长装置参照使用。
标准编号:GB/T 10067.417-2023
标准名称:电热和电磁处理装置基本技术条件 第417部分:碳化硅单晶生长装置
英文名称:Basic specifications for electroheating and electromagnetic processing installations—Part 417:Silicon carbide crystal growth installations
发布部门:国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会
发布日期:2023-05-23
实施日期:2023-12-01
标准状态:现行/即将实施
起草单位:江苏星特亮科技有限公司、西安电炉研究所有限公司、安徽瑞驰新能源有限公司、河南天利热工装备股份有限公司、厦门晓讯新能源科技有限公司、成都粤海金半导体材料有限公司、州市乐萌压力容器有限公司、河北同光半导体股份有限公司、张家港市中亚特种变压器制造有限公司、西安慧金科技有限公司、株洲瑞德尔智能装备有限公司、中山市合硕高品电器有限公司、广东飞成新材料有限公司、西安福莱特热处理有限公司
起草人员:李留臣、余维江、李琨、曹姣、谢萍、张永武、李明科、赵然、潘燕萍、杨昆、周正星、李小杰、陈佩娴、金星宇、尹丹、段春芳、杨祯
文件格式:PDF
文件页数:17页
文件大小:1.16MB

标准全文下载:
GBT 10067.417-2023.pdf (1.16 MB)

文档首页截图如下:
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