T/ZJATA 0017-2023 制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法(CVD)外延设备

46919597 · 发表于 2023-6-30 15:22:35

本文件规定了制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法(CVD)外延设备（以下简称碳化硅外延设备）的产品分类、标记、组成及基本参数、工作条件、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输与贮存、质量承诺。本文件适用于采用化学气相沉积法(CVD)技术加工100 mm（4英寸）、150 mm（6英寸）和200 mm（8英寸）SiC 晶片的碳化硅外延设备。
标准编号：T/ZJATA 0017-2023
标准名称：制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法(CVD)外延设备
发布部门：浙江省分析测试协会
发布日期：2023-06-20
实施日期：2023-07-20
标准状态：现行/即将实施
起草单位：浙江求是半导体设备有限公司、浙江晶盛机电股份有限公司、浙江求是创芯半导体设备有限公司、中国质量认证中心杭州分中心
起草人员：曹建伟、朱亮、傅林坚、张俊、周建灿、刘毅、沈文杰、金玲飞、刘丹丹、余婷、楼科利、朱盛霞
文件格式：PDF
文件页数：17页
文件大小：2.64MB

标准全文下载：

TZJATA 0017-2023.pdf (2.64 MB)

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T/ZJATA 0017-2023 制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法(CVD)外延设备

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