找回密码
 立即注册

QQ登录

只需一步,快速开始

搜索
热搜: 活动 交友 discuz
查看: 127|回复: 0

T/NXCL 016-2022 200 mm重掺锑直拉硅单晶抛光片

[复制链接]

5

主题

0

回帖

30

积分

书童

积分
30
发表于 2023-2-17 14:33:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
本文件规定了200 mm重掺锑直拉硅单晶抛光片的产品分类、技术要求、试验方法、检验规格以及标志、包装、运输、贮存、订货单(或合同)内容和质量承诺等方面的内容。其中技术要求包括原材料、物理性能、化学成分、几何参数、氧化诱生缺陷、表面质量、边缘轮廓等。试验方法包括导电类型、电阻率、电阻率变化、间隙氧含量、径向氧含量、碳含量、表面金属含量、体内金属(铁)含量、直径晶向及晶向偏离度、厚度和总厚度变化、弯曲度、翘曲度、平整度和局部平整度、氧化诱生缺陷、表面质量、局部光散射体(微小颗粒沾污)和边缘轮廓测量的测量或检验方法。检验规则分为出厂检验和型式检验。
标准编号:T/NXCL 016-2022
标准名称:200 mm重掺锑直拉硅单晶抛光片
英文名称:200 mm heavily antimony-doped single crystaline Czochralski silicon polished wafer
发布部门:宁夏材料研究学会
发布日期:2022-12-02
实施日期:2022-12-02
标准状态:现行
起草单位:宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司、北方民族大学、杭州中欣晶圆半导体股份有限公司、厦门大学、宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司、宁夏高创特能源科技有限公司
起草人员:芮阳、商润龙、王黎光、伊冉、曹启刚、杨少林、熊欢、王忠宝、马成、周文辉、马吟霜、魏兴彤、张昆、盛之林、张友海、顾燕滨、黄柳青、范占军
文件格式:PDF
文件页数:8页
文件大小:293.95KB

标准全文下载:
TNXCL 016-2022 200 mm重掺锑直拉硅单晶抛光片.pdf (293.95 KB)

文档首页截图如下:
免责声明 1、本站所有资源均来自会员分享或网络收集整理,仅供会员交流学习,禁止用于商业用途,下载后请在24小时之内删除;
2、如本帖侵犯到任何版权问题,请立即告知本站(qbw86@foxmail.com),本站将及时删除并致以最深的歉意;
您需要登录后才可以回帖 登录 | 立即注册

本版积分规则

Archiver|手机版|小黑屋|全标网 ( 沪ICP备2021120899号 )

GMT+8, 2024-5-3 22:36 , Processed in 0.069715 second(s), 34 queries .

Powered by Discuz! X3.5

© 2001-2024 Discuz! Team.

快速回复 返回顶部 返回列表