本文件规定了低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片（以下简称Low-COP抛光片）的技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存、随行文件及订货单内容。
本文件适用于对晶体原生凹坑敏感的集成电路用直径为200 mm和300 mm、晶向<100>、电阻率0.1 Ω·cm～100 Ω·cm的Low-COP抛光片。
标准编号：GB/T 41325-2022
标准名称：集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片
英文名称：Low density crystal originated pit polished monocrystalline silicon wafers for integrated circuit
发布部门：国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会
发布日期：2022-03-09
实施日期：2022-10-01
起草单位：有研半导体硅材料股份公司、山东有研半导体材料有限公司、杭州中欣晶圆半导体股份有限公司、南京国盛电子有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、中环领先半导体材料有限公司、浙江海纳半导体有限公司
起草人员：孙燕、宁永铎、钟耕杭、李洋、徐新华、骆红、杨素心、李素青、张海英、由佰玲、潘金平
文件格式：PDF
文件页数：9页
文件大小：510.08KB
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