T/CIE 126-2021 磁随机存储芯片测试方法

yuanquan · 发表于 2023-2-10 22:34:05

本标准给出了磁随机存储(Magnetic Random-Access Memory; MRAM)芯片测试方法的术语、测试原理、测试环境、测试设备、测试程序等。
本标准适用于磁随机存储芯片测试和磁随机存储芯片关键性能（可靠性和电学参数等）验证。
标准编号：T/CIE 126-2021
标准名称：磁随机存储芯片测试方法
发布部门：中国电子学会
发布日期：2021-12-23
实施日期：2022-02-10
标准状态：现行
起草单位：北京航空航天大学、北京智芯微电子科技有限公司、北京芯可鉴科技有限公司、中国电子科技集团公司第五十八研究所、上海佑磁信息科技有限公司、北京时代民芯科技有限公司、致真存储（北京）科技有限公司、深圳亘存科技有限责任公司、中国电子技术标准化研究院
起草人员：赵巍胜、彭守仲、李月婷、曹凯华、王昭昊、聂天晓、史可文、王佑、邓尔雅、陈燕宁、付振、潘成、刘芳、赵桂林、帅喆、孙杰杰、王超、卢辉、王亮、陆时进、李鑫云、曹安妮、王戈飞、刘宏喜、郭玮、何帆、菅端端、南江
文件格式：PDF
文件页数：20页
文件大小：2.73MB

标准全文下载：

TCIE 126-2021 磁随机存储芯片测试方法.pdf (2.73 MB)

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