GB/T 1551-2021 硅单晶电阻率的测定直排四探针法和直流两探针法

jackie_so · 发表于 2023-2-4 15:32:11

本文件规定了用直排四探针法和直流两探针法测试硅单晶电阻率的方法。
本文件适用于硅单晶电阻率的测试，其中直排四探针法可测试的p型硅单晶电阻率范围为7×10-4 Ω·cm～8×103 Ω·cm，n型硅单晶电阻率范围为7×10-4 Ω·cm～1.5×104 Ω·cm；直流两探针法适用于测试截面积均匀的圆形、方形或矩形硅单晶的电阻率，测试范围为1×10-3 Ω·cm～1×104 Ω·cm，样品长度与截面最大尺寸之比不小于3:1。硅单晶其他范围电阻率的测试可参照本文件进行。
标准编号：GB/T 1551-2021
标准名称：硅单晶电阻率的测定直排四探针法和直流两探针法
英文名称：Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon—In-line four-point probe and direct current two-point probe method
发布部门：国家市场监督管理总局国家标准化管理委员会
发布日期：2021-05-21
实施日期：2021-12-01
标准状态：现行
替代情况：替代GB/T 1551-2009
起草单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所、有色金属技术经济研究院有限责任公司、有研半导体材料有限公司、广州市昆德科技有限公司、青海芯测科技有限公司、浙江海纳半导体有限公司、乐山市产品质量监督检验所、中国计量科学研究院、亚洲硅业(青海)股份有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、开化县检验检测研究院、南京国盛电子有限公司、青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司、义乌力迈新材料有限公司
起草人员：刘立娜、刘兆枫、何烜坤、刘刚、杨素心、孙燕、高英、王昕、梁洪、潘金平、楼春兰、宗冰、李慎重、潘文宾、蔡丽艳、王志强、皮坤林
文件格式：PDF
文件页数：24页
文件大小：543.19KB

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GB/T 1551-2021 硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法

GB/T 1551-2021 硅单晶电阻率的测定直排四探针法和直流两探针法