GB/T 8760-2020 砷化镓单晶位错密度的测试方法

renzailvtu · 发表于 2023-1-28 20:56:47

本标准规定了砷化镓单晶位错密度的测试方法。
本标准适用于{100}、{111}面砷化镓单晶位错密度的测试，测试范围为0 cm-2～100 000 cm-2。
标准编号：GB/T 8760-2020
标准名称：砷化镓单晶位错密度的测试方法
英文名称：Test method for dislocation density of monocrystal gallium arsenide
发布部门：国家市场监督管理总局国家标准化管理委员会
发布日期：2020-09-29
实施日期：2021-08-01
标准状态：现行
替代情况：替代GB/T 8760-2006
起草单位：有研光电新材料有限责任公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、国合通用测试评价认证股份公司、中国电子科技集团第四十六研究所、广东先导稀材股份有限公司、雅波拓(福建)新材料有限公司
起草人员：赵敬平、林泉、于洪国、惠峰、刘淑凤、姚康、许所成、许兴、马英俊、王彤涵、赵素晓、韦圣林、陈晶晶、付萍
文件格式：PDF
文件页数：8页
文件大小：2.06MB

标准全文下载：

GBT 8760-2020 砷化镓单晶位错密度的测试方法.pdf (2.06 MB)

文档首页截图如下：

		自动登录	找回密码
密码			立即注册