本标准规定了碳化硅外延片表面缺陷密度的光学测试方法。
本标准适用于在4H晶型碳化硅衬底上生长了同质外延层的外延片的表面缺陷密度测试，样品表面法线方向为[0001]方向，且其偏离角度不应大于8°。
标准编号：SJ 21493-2018
标准名称：碳化硅外延片表面缺陷测试方法
英文名称：Test method of surface defects for silicon carbide epitaxial wafers
发布部门：国家国防科技工业局
发布日期：2018-12-29
实施日期：2019-03-01
起草单位：中国电子科技集团公司第五十五研究所
文件格式：PDF
文件页数：11页
文件大小：3.03MB
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