GB/T 36474-2018 半导体集成电路第三代双倍数据速率同步动态随机存储器 (DDR3 SDRAM)测试方法

显示全部楼层 · 发表于 2023-1-11 19:41:55

本标准规定了半导体集成电路第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)功能验证和电参数测试的方法。
本标准适用于半导体集成电路领域中第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)功能验证和电参数测试。
标准编号：GB/T 36474-2018
标准名称：半导体集成电路第三代双倍数据速率同步动态随机存储器 (DDR3 SDRAM)测试方法
英文名称：Semiconductor integrated circuit—Measuring methods for double data rate 3 synchronous dynamic random access memory(DDR3 SDRAM)
发布部门：国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会
发布日期：2018-06-07
实施日期：2019-01-01
标准状态：现行
起草单位：中国电子技术标准化研究院、西安紫光国芯半导体有限公司、上海高性能集成电路设计中心、武汉芯动科技有限公司、成都华微电子科技有限公司
起草人员：孔宪伟、殷梦迪、尹萍、巨鹏锦、高专、刘建明
文件格式：PDF
文件页数：15页
文件大小：343.63KB

标准全文下载：

GBT 36474-2018.pdf (343.63 KB)

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GB/T 36474-2018 半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器 (DDR3 SDRAM)测试方法

GB/T 36474-2018 半导体集成电路第三代双倍数据速率同步动态随机存储器 (DDR3 SDRAM)测试方法