SJ/T 9014.8.2-2018 半导体器件分立器件第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范

哈瓜 · 发表于 2023-1-11 08:23:57

本规范规定了超结金属氧化物半导体场效应晶体管详细规范的编写要求和编写格式。
本规范适用于采用超结原理设计生产的超结金属氧化物半导体场效应晶体管系列产品详细规范的编制。
标准编号：SJ/T 9014.8.2-2018
标准名称：半导体器件分立器件第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范
英文名称：Semiconductor devices-Discrete devices Part 8-2:Blank detail specification for super junction metal-oxide-semiconductor field-effect transistors
发布部门：工业和信息化部
发布日期：2018-04-30
实施日期：2018-07-01
标准状态：现行
起草单位：西安龙腾新能源科技发展有限公司、上海华虹宏力半导体制造有限公司、华润上华科技有限公司、吉林华微电子股份有限公司、天水华天电子集团股份有限公司
文件格式：PDF
文件页数：20页
文件大小：3.64MB

标准全文下载：

SJT 9014.8.2-2018.pdf (3.64 MB)

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SJ/T 9014.8.2-2018 半导体器件 分立器件第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范

SJ/T 9014.8.2-2018 半导体器件分立器件第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范