本标准规定了MEMS惯性器件敏感芯片电参数在片测试的人员、环境、安全、设备和仪器的一般要求，以及测试流程、测试准备、测试系统连接、参数测试等详细要求。
本标准适用于MEMS惯性器件敏感芯片（以下简称营片）导通电阻、绝缘电阻、极间电容、谐振频率、品质因数等电参数的在片测试。
标准编号：SJ 21262-2018
标准名称：MEMS 惯性器件芯片在片测试技术要求
英文名称：Technical requirements for MEMS inertial device chip measurement on wafer
发布部门：国家国防科技工业局
发布日期：2018-01-18
实施日期：2018-05-01
起草单位：中国电子科技集团公司第十三研究所
文件格式：PDF
文件页数：11页
文件大小：2.54MB
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