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YS/T 26-2016 硅片边缘轮廓检验方法

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发表于 2023-1-1 14:03:53 | 显示全部楼层 |阅读模式
本标准规定了硅片边缘轮廓(包含切口)的检验方法。
本标准适用于检验倒角硅片的边缘轮廓(包含切口),砷化镓等其他材料晶片边缘轮廓的检验可参照本标准执行。
标准编号:YS/T 26-2016
标准名称:硅片边缘轮廓检验方法
英文名称:Test methods for edge contour of silicon wafers
发布部门:中华人民共和国工业和信息化部
发布日期:2016-07-11
实施日期:2017-01-01
标准状态:现行
替代情况:替代YS/T 26-1992
起草单位:洛阳单晶硅集团有限责任公司、有研半导体材料有限公司、浙江金瑞乱科技股份有限公司
起草人员:田素霞、李战国、苗利刚、焦二强、安瑞阳、邵成波、王文卫
文件格式:PDF
文件页数:9页
文件大小:282.16KB

标准全文下载:
YST 26-2016 硅片边缘轮廓检验方法.pdf (282.16 KB)

文档首页截图如下:
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