GB/T 32495-2016 表面化学分析二次离子质谱硅中砷的深度剖析方法

s181070 · 发表于 2022-12-30 22:58:32

本标准详细规定了用扇形磁场或四极杆式二次离子质谱仪对硅中砷进行深度剖析的方法，以及用触针式轮廓仪或光学干涉仪深度定标的方法。
本标准适用于砷原子浓度范围从1×10ˇ16 atoms/cm3～2.5×10ˇ21 atoms/cm3的单晶硅、多晶硅、非晶硅样品，坑深在50 nm及以上。
标准编号：GB/T 32495-2016
标准名称：表面化学分析二次离子质谱硅中砷的深度剖析方法
英文名称：Surface chemical analysis—Secondary-ion mass spectrometry—Method for depth profiling of arsenic in silicon
发布部门：国家质量监督检验检疫总局、国家标准化管理委员会
发布日期：2016-02-24
实施日期：2017-01-01
标准状态：现行
起草单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所
起草人员：马农农、陈潇、何友琴、王东雪
文件格式：PDF
文件页数：14页
文件大小：550.32KB

标准全文下载：

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GB/T 32495-2016 表面化学分析 二次离子质谱 硅中砷的深度剖析方法

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