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SJ/T 11853-2022 正压悬浮区熔单晶硅炉

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秀才

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发表于 2023-10-18 11:39:53 | 显示全部楼层 |阅读模式
本文件规定了正压悬浮区熔单晶硅炉的产品标记和主要参数、技术要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、储存。适用于以高纯多晶硅做原料,采用悬浮区熔法进行半导体级单晶硅生长的单晶硅炉。
标准编号:SJ/T 11853-2022
标准名称:正压悬浮区熔单晶硅炉
发布部门:中华人民共和国工业和信息化部
发布日期:2022-09-30
实施日期:2023-01-01
标准状态:现行
文件格式:PDF
文件页数:13页
文件大小:4.75MB

标准全文下载:
SJT 11853-2022 正压悬浮区熔单晶硅炉.pdf (4.75 MB)

文档首页截图如下:
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