标准编号：T/CASAS 009-2019
标准名称：半绝缘碳化硅材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法
英文名称：Determination of Trace Impurities Concentration and Distribution in Semi-insulating SiC Materials by Secondary Ion Mass Spectrometry
发布部门：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
发布日期：2019-11-25
实施日期：2019-11-25
标准状态：现行
文件格式：PDF
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