标准编号：T/CASAS 003-2018
标准名称：p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片
英文名称：4H-SiC Epitaxial Wafers for p-IGBT Devices
发布部门：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
发布日期：2018-11-20
实施日期：2018-11-20
标准状态：现行
文件格式：PDF
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标准名称：p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片
英文名称：4H-SiC Epitaxial Wafers for p-IGBT Devices
发布部门：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
发布日期：2018-11-20
实施日期：2018-11-20
标准状态：现行
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