GB/T 11073-2025 硅片径向电阻率变化测量方法

本文件描述了用直排四探针法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法。
本文件适用于厚度小于探针平均间距、直径大于15 mm、室温电阻率在3×10-4 Ω·cm~1.8×104 Ω·cm的p型硅单晶片及室温电阻率在6×10-3 Ω·cm~1×105 Ω·cm 的n型硅单晶片的径向电阻率变化的测量。硅单晶片其他范围电阻率的测量参照本文件进行。

标准编号：GB/T 11073-2025
标准名称：硅片径向电阻率变化测量方法
英文名称：Test method for measuring radial resistivity variation on silicon wafers
发布部门：国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会
发布日期：2025-10-31
实施日期：2026-05-01
替代情况：替代GB/T 11073-2007
文件格式：PDF
文件页数：10页
文件大小：365.41KB

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