找回密码
 立即注册

QQ登录

只需一步,快速开始

搜索
热搜: 活动 交友 discuz

T/IAWBS 021-2024 碳化硅晶片边缘轮廓检验方法

[复制链接]
发表于 2024-5-18 23:42:33 | 显示全部楼层 |阅读模式
本文件规定了碳化硅晶片边缘轮廓(包含切口)的检验方法。本文件适用于检验倒角后碳化硅晶片的边缘轮廓(包含切口),其他材料晶片边缘轮廓的检验可参照本标准执行。
标准编号:T/IAWBS 021-2024
标准名称:碳化硅晶片边缘轮廓检验方法
英文名称:Test methods for edge contour of silicon carbide wafers
发布部门:中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
发布日期:2024-04-01
实施日期:2024-04-09
标准状态:现行
起草单位:北京天科合达半导体股份有限公司、江苏天科合达半导体股份有限公司、中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、山东有研半导体材料有限公司
起草人员:佘宗静、彭同华、王大军、刘祎晨、王波、赵宁、张平、杨建、郑红军、蔡丽艳
文件格式:PDF
文件页数:7页
文件大小:462.96KB

标准全文下载:
TIAWBS 021-2024 碳化硅晶片边缘轮廓检验方法.pdf (462.96 KB)

文档首页截图如下:
免责声明 1、本站所有资源均来自会员分享或网络收集整理,仅供会员交流学习,禁止用于商业用途,下载后请在24小时之内删除;
2、如本帖侵犯到任何版权问题,请立即告知本站(qbw86@foxmail.com),本站将及时删除并致以最深的歉意;
您需要登录后才可以回帖 登录 | 立即注册

本版积分规则

Archiver|手机版|小黑屋|全标网 ( 沪ICP备2021120899号 )

GMT+8, 2025-7-3 17:02 , Processed in 0.060200 second(s), 35 queries .

Powered by Discuz! X3.5

© 2001-2025 Discuz! Team.

快速回复 返回顶部 返回列表