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T/CNS 82-2022 宇航用静态随机存储器总剂量辐射效应试验方法

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发表于 2024-5-16 18:10:40 | 显示全部楼层 |阅读模式
本文件适用于评估宇航用SRAM的抗总剂量效应能力,抗辐射加固SRAM试验验证,SRAM总剂量效应研究。
标准编号:T/CNS 82-2022
标准名称:宇航用静态随机存储器总剂量辐射效应试验方法
英文名称:Test method for total ionizing dose effect of static random-access memory in space application
发布部门:中国核学会
发布日期:2022-12-16
实施日期:2023-04-01
标准状态:现行
起草单位:中国科学院新疆理化技术研究所、中国科学院微小卫星创新研究院、中国航天科技集团有限公司第五研究院宇航物资保障事业部
起草人员:郑齐文、崔江维、余学峰、郭旗、李豫东、王信、张丹、陆妩、何承发、崔帅、李鹏伟
文件格式:PDF
文件页数:15页
文件大小:534.05KB

标准全文下载:
TCNS 82-2022.pdf (534.05 KB)

文档首页截图如下:
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