本文件规定了一种通过测定溅射速率校准材料溅射深度的方法，即在一定溅射条件下测定一种具有单层或多层膜参考物质的溅射速率，用作相同材料膜层的深度校准。当使用俄歇电子能谱(AES)、X射线光电子能谱(XPS)和二次离子质谱(SIMS)进行深度分析时，这种方法对于厚度在20 nm～200 nm之间的膜层具有5%～10%的准确度。溅射速率是由参考物质相关界面间的膜层厚度和溅射时间决定。使用已知的溅射速率并结合溅射时间，可以得到被测样品的膜层厚度。测得的离子溅射速率可用于预测各种其他材料的离子溅射速率，从而可以通过溅射产额和原子密度的表值估算出这些材料的深度尺度和溅射时间。
标准编号：GB/T 41064-2021
标准名称：表面化学分析 深度剖析 用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱、俄歇电子能谱和二次离子质谱中深度剖析溅射速率的方法
英文名称：Surface chemical analysis—Depth profiling—Method for sputter rate determination in X-ray photoelectron spectroscopy,Auger electron spectroscopy and secondary-ion mass spectrometry sputter depth profiling using single and multi-layer thin films
发布部门：国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会
发布日期：2021-12-31
实施日期：2022-07-01
标准状态：现行
起草单位：清华大学、中国石油大学(北京)
起草人员：姚文清、段建霞、杨立平、王雅君、李展平、徐同广、王岩华
文件格式：PDF
文件页数：16页
文件大小：2.71MB
发表于 2023-2-11 16:35:24
