GB/T 36613-2018 发光二极管芯片点测方法

本标准规定了发光二极管芯片(以下简称“芯片”)光参数、直流电参数以及静电放电敏感性的点测条件和点测方法。
本标准适用于批量生产的可见光发光二极管正装芯片和薄膜芯片的检测方法。紫外光、红外光发光二极管芯片以及外延片的点测也可参照使用。
本标准不适用于发光二极管芯片的热参数和交流特性测试。
标准编号：GB/T 36613-2018
标准名称：发光二极管芯片点测方法
英文名称：Probe test method for light emitting diode chips
发布部门：国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会
发布日期：2018-09-17
实施日期：2019-01-01
标准状态：现行
起草单位：三安光电股份有限公司、厦门市三安光电科技有限公司、中国电子技术标准化研究院、广州赛西标准检测研究院有限公司
起草人员：蔡伟智、梁奋、刘秀娟、李国煌、吕艳、金威、邵晓娟、周钢、时军朋
文件格式：PDF
文件页数：10页
文件大小：304.86KB

标准全文下载：
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2023-8-2 15:41 上传

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